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什么是CVD?

日期:2024-10-13 04:29
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摘要:
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學(xué)氣相沉積),指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。在大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強(qiáng)力鋼的彎曲,拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。

特點(diǎn)

沉積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時(shí)間成正比,均勻性,重復(fù)性好,臺(tái)階覆蓋性優(yōu)良。

制備的必要條件

1) 在沉積溫度下,反應(yīng)物具有足夠的蒸氣壓,并能以適當(dāng)?shù)乃俣缺灰敕磻?yīng)室;
2) 反應(yīng)產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外,都必須是揮發(fā)性的;
3) 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。
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